Applicazioni

TOYO TANSO EUROPE S.P.A.
Produzione di semiconduttori PRODOTTI PER LA PRODUZIONE DI SILICIO MONOCRISTALLINO
Semiconduttori composti, epitaxy e MOCVD

Toyo Tanso è attiva nel processo di produzione dei semiconduttori e fornisce una gamma di prodotti di grafite da utilizzare come parti in processi di produzione del silicio monocristallino (forni CZ). Le tecnologie e le soluzioni innovative del gruppo sono accompagnate da un sistema di fornitura globale che garantisce ai clienti processi di produzione dei semiconduttori a costi ridotti e maggiormente sostenibili.

Quando si estrae il silicio monocristallino, la temperatura di fusione è estremamente elevata, circa 1500°, l’eccellente durabilità termica della grafite isostatica aiuta a prolungare la durata del prodotto.

I prodotti di elevata purezza sono utilizzati in ambienti in cui è necessario evitare contaminanti; i trattamenti superficiali (PERMA KOTE® e PYROGRAPH®) sono utilizzati in ambienti in cui è necessario evitare particelle e reazioni con gas SiO.

Prodotti:

CROGIOLI

Al fine di proteggere il crogiolo al quarzo utilizzato per la produzione del cristallo singolo di silicio, molti produttori utilizzano la nostra grafite isostatica ad alta densità per le sue caratteristiche di alta resistenza e minima usura.

RESISTORI

La grafite può essere depurata fino all’ordine di pochi PPM (parti per milione) e facilmente lavorata in forme molto complesse. È un materiale essenziale per gli elementi riscaldanti della produzione dei semi-conduttori.

CRESCITA EPITASSIALE DEL SILICIO

Nel processo epitassiale, i wafer di silicio vengono riscaldati in un forno epitassiale a circa 1200°C, e al forno vengono aggiunti tetracloruro di silicio vaporizzato (SiCl 4) e tricloruro di silano (SiHCl 3) per indurre la crescita epitassiale sulla superficie dei wafer. I sostenitori PERMA KOTE® (rivestiti in SiC), che hanno un’eccellente resistenza termica, resistenza chimica e resistenza alla polvere, sono quindi ampiamente utilizzati.

Inoltre, poiché i suscettori entrano in contatto con i wafer, la loro precisione dimensionale e la loro rugosità superficiale influenzano la distribuzione della temperatura dei wafer. Sono quindi necessari strati di SiC con elevata precisione dimensionale e scorrevolezza.

Grazie alla tecnologia proprietaria per l’elaborazione del substrato di grafite e al controllo del livello SiC combinato con il supporto tecnico che sfrutta le nostre eccezionali capacità analitiche, Toyo Tanso è in grado di offrire il prodotto ideale per soddisfare le vostre esigenze.

SEMICONDUTTORE COMPOSTO

Il processo MOCVD prevede l’uso di gas di ammoniaca (NH 3), che rende impossibile evitare la corrosione precoce quando si utilizza grafite non rivestita, e richiede anche un ambiente a elevata purezza, a prova di polvere. I suscettori PERMA KOTE® (rivestiti in SiC) sono quindi ampiamente impiegati per la loro eccellente durata termica e le proprietà resistenti alle sostanze chimiche e alla polvere.

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SEMICONDUTTORI

I wafer di silicio supportano la crescita del settore elettronico. Nel processo di produzione dei wafer, durante il quale i prodotti sono esposti a temperature estremamente elevate, sono utilizzati grandi numeri di componenti in grafite, quali ad esempio riscaldatori e crogioli, per la loro elevata purezza e l’eccellente resistenza al calore.